Поиск товара:        Расширенный

Популярные поиски: BD9897FS TL866CS AS15-F HAKKO 936 TMS91429CT FDD8447L 2SK4075 2SC5707 AXP209

Вход

Имя:

Пароль:



Регистрация
Забыл пароль

Товаров:   0 шт.
На сумму: 0.00 pyб.

 

Вы здесь: Каталог магазина радиодеталей (и чип и дип и зип) > Транзисторы > IGBT транзисторы > H30R1202 (IHW30N120R2)
 H30R1202 (IHW30N120R2) фото
купить IKW50N60TFKSA1 (K50T60) купить FGA60N65SMD

H30R1202 (IHW30N120R2)

  • Торговая марка: Infineon Technologies
  • Наличие на складе: нет
  • Цена магазина: 95 pyб.
  • Частый покупатель: 90.25 pyб.  ? 
  • Кол-во:   Купить H30R1202 (IHW30N120R2)
  • Итого :  
Купить позже
  • Описание
  • Параметры
  • Тэги
  • С этим товаром покупают

IGBT транзистор IHW30N120R2 (маркировка H30R1202)

IHW30N120R2 для индукционных печей, 1200V, 30A, аналог H20R1203

 

Особенности:

  • Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only
  • TRENCHSTOP technology applications offers:
  • Very tight parameter distribution
  • High ruggedness, temperature stable behavior
  • Low VCEsat
  • Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat
  • LowEMI

 

Applications:

  • Inductive cooking
  • Inverterized microwave ovens
  • Resonant converters
  • Soft switching applications
Извините, на данный момент, этого товара нет в наличии на складе.

Выберите аналогичный товар как "H30R1202 (IHW30N120R2)". Рекомендуем начать просмор сайта с главной страницы сайта магазина Dalincom, или с начала каталога Микросхемы. Кроме того, мы стараемся как можно быстрее восполнять складской запас, ожидайте поступление.
Код товара :M-157-10943
Обновление: 2023-06-16
Тип корпуса :TO-247
 
 

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить H30R1202 (IHW30N120R2), чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

*** тэги, это текстовые метки, которые формируют сами посетители, для быстрого поиска требуемых компонентов, радиотоваров, инструментов, и тд. Например, добавив метку "ремонт", этот товар будет отображаться в результатах поиска по этому слову. В дальнейшем, достаточно будет нажать на ссылку для вывода списка товаров с этой меткой.

Что еще купить вместе с H30R1202 (IHW30N120R2) ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары

Код Наименование Краткое описание Розн. цена

** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара


10943 H30R1202 (IHW30N120R2) IGBT транзистор IHW30N120R2 (маркировка H30R1202) для индукционных печей, 1200V, 30A, аналог H20R1203 95 pyб.
7173 H20R1202 Транзистор IHW20N120R2 (маркировка H20R1202) - Reverse Conducting IGBT, 1200V, 20A, with monolithic body diode, TO-247 95 pyб.
1431 H20R1203 (IHW20N120R3) IGBT транзистор IHW20N120R3 (маркировка H20R1203) для индукционных печей, 1200V, 20A, аналог H20R1202 95 pyб.
2122 Припой SUOER 0.8мм, 100гр. Припой высокого качества SUOER с флюсом, Sn60Pb40, мягкий, в катушке, диаметр 0.8мм, вес 100 грамм 530 pyб.
7470 AOD4286 Транзисторы AOD4286 (маркировка D4286) - N-Channel Power MOSFET Transistor 100V, 20A, TO-252 17 pyб.
10398 H30R1602 (IHW30N160R2) IGBT транзистор IHW30N160R2 (маркировка H30R1602) - Reverseconducting IGBT with monolithic body diode, 1600V, 30A, TO-247 110 pyб.
6945 IHW25N120R3 (H25R1203) IGBT транзисторы IHW25N120R3 (маркировка H25R1203) - IGBT Single Transistor, 25A, 1200V, TO-247 110 pyб.
10442 H15R1203 (IHW15N120R3) IGBT транзистор IHW15N120R3 (маркировка H15R1203) - Reverseconducting IGBT with monolithic body diode, 1200V, 15A, TO-247 85 pyб.
9659 Конденсатор 1000uF 25V (JCCON) Конденсаторы электролитические 1000 мкф 25в (JCCON, 105°C, размер 10x20мм) 9.5 pyб.
1262 FQPF20N60C to-220fp Полевые транзисторы FQPF20N60 - Power MOSFET N-Channel, 600V, 20A, TO-220FP 37 pyб.

 

Комментарии, отзывы

Комментариев нет

Оставить отзыв

Логин: Гость
Email:
Рейтинг:
Код проверки: Прочитать отзыв в Москве, Санкт-Петербурге, Новосибирске, Екатеринбурге, Нижнем Новгороде, Казани, Челябинске, Омске, Самаре, Ростове-на-Дону, Уфе, Красноярске, Хабаровске, Ростове, Владивостоке, другой город
  Очистить весь текст