Поиск товара:        Расширенный

Популярные поиски: BD9897FS TL866CS AS15-F HAKKO 936 TMS91429CT FDD8447L 2SK4075 2SC5707 AXP209

Вход

Имя:

Пароль:



Регистрация
Забыл пароль

Товаров:   0 шт.
На сумму: 0.00 pyб.
Разделы
IGBT транзисторы

IGBT
транзисторы

 

IGBT транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) это биполярные транзисторы с изолированным затвором. Поэтому входные характеристики IGBT подобны входным характеристикам полевого транзистора, а выходные – выходным характеристикам биполярного.

 

В каталоге нашего магазина указаны складские розничные цены, при этом, оптовые покупатели, имеют возможность купить дешевле (со скидкой).

 

Для покупки оптом (под заказ), присылайте ваши списки нам на емайл. Мы отправим вам коммерческое предложение с оптовой ценой и сроком поставки.

 

При покупке в розницу, добавляйте требуемый товар в корзину, и в завершении, оформляйте заказ с нашего сайта. Мы проверим наличие, рассчитаем стоимость доставки, и свяжемся с вами для выставления счета.

 

Посетителям, ранее не покупавшим в интернет магазинах, предлагаем ознакомиться с информацией - как купить

 

Текущее наличие на складе, указано в каталоге и в карточке товара. Отправка почтой либо транспортной компанией в любой город России.

 

 

Будьте внимательны!

 

При выборе, обращайте внимание на корпус. IGBT транзисторы могут изготавливаться в корпусах различных типов. Поэтому, перед выбором, внимательно смотрите фотографию (картинку) и параметры (характеристики). Для многих транзисторов мы указываем их характеристики, маркировку, размещаем описания и даташиты и схему включения.

 

Популярные IGBT транзисторы

Магазин Dalincom предлагает различные виды IGBT транзисторов - N-каналов и P-каналов, мощные, высоковольтные, и многие другие.

Ценовая таблица наиболее востребованных IGBT транзисторов
Наименование
Корпус
Цена

** более подробную информацию (фото, описание, параметры, технические характеристики, маркировку, и тд.) вы сможете найти в карточке товара


RJP63K2 TO-263 32 руб.
RJP3049 TO-3P 47 руб.
GT30F124 TO-220 32 руб.
GT30F131 TO-263 32 руб.
DG302 TO-263 32 руб.
GT30F133 TO-263 32 руб.
K40T120 TO-247 90 руб.
H25R1203 TO-247 85 руб.
H20R1202 TO-247 65 руб.
FGA15N120 TO-247 53 руб.
RJH30E3 TO-220 53 руб.
RJP3054 TO-220 53 руб.

 

Список товаров для продажи
Режим Отображения Показать каталог как список Показать каталог как таблицу Показать каталог как текст

Транзистор IHW25N120R2 (маркировка H25R1202) - Reverse Conducting IGBT, 1200V, 25A, with monolithic body diode, TO-247

H25R1202

Транзистор IHW25N120R2 (маркировка H25R1202) - Reverse Conducting IGBT, 1200V, 25A, with monolithic body diode, TO-247


73 pyб.    Положить в корзину H25R1202 В закладки Сравнить H25R1202 с другим товаром В наличии

Транзистор IHW20N120R2 (маркировка H20R1202) - Reverse Conducting IGBT, 1200V, 20A, with monolithic body diode, TO-247

H20R1202

Транзистор IHW20N120R2 (маркировка H20R1202) - Reverse Conducting IGBT, 1200V, 20A, with monolithic body diode, TO-247


75 pyб.    Положить в корзину H20R1202 В закладки Сравнить H20R1202 с другим товаром В наличии

Транзистор IRFP4368 (IRFP4368PbF) - Power MOSFET, 75V, 350A, TO-247

IRFP4368

Транзистор IRFP4368 (IRFP4368PbF) - Power MOSFET, 75V, 350A, TO-247


95 pyб.    Положить в корзину IRFP4368 В закладки Сравнить IRFP4368 с другим товаром В наличии

IGBT транзистор IHW30N160R2 (маркировка H30R1602) - Reverseconducting IGBT with monolithic body diode, 1600V, 30A, TO-247

H30R1602 (IHW30N160R2)

IGBT транзистор IHW30N160R2 (маркировка H30R1602) - Reverseconducting IGBT with monolithic body diode, 1600V, 30A, TO-247


123 pyб.    Положить в корзину H30R1602 (IHW30N160R2) В закладки Сравнить H30R1602 (IHW30N160R2) с другим товаром В наличии

Транзистор FGA60N65SMD (аналог FGA60N65, FGA60N60UFD) - Field Stop Power IGBT Transistor, 650V, 60A, TO-3P

FGA60N65SMD

Транзистор FGA60N65SMD (аналог FGA60N65, FGA60N60UFD) - Field Stop Power IGBT Transistor, 650V, 60A, TO-3P


153 pyб.    Положить в корзину FGA60N65SMD В закладки Сравнить FGA60N65SMD с другим товаром нет

Транзистор FGH60N60SFD (FGH60N60) - Power IGBT Transistor, 600V, 120A, TO-247

FGH60N60SFD

Транзистор FGH60N60SFD (FGH60N60) - Power IGBT Transistor, 600V, 120A, TO-247


132 pyб.    Положить в корзину FGH60N60SFD В закладки Сравнить FGH60N60SFD с другим товаром В наличии

Транзистор HGTG30N60B3D (маркировка G30N60B3D) - Power IGBT 60A, 600V, UFS Series N-Channel with Anti-Parallel Hyperfast Diode, TO-247

HGTG30N60B3D (G30N60B3D)

Транзистор HGTG30N60B3D (маркировка G30N60B3D) - Power IGBT 60A, 600V, UFS Series N-Channel with Anti-Parallel Hyperfast Diode, TO-247


95 pyб.    Положить в корзину HGTG30N60B3D (G30N60B3D) В закладки Сравнить HGTG30N60B3D (G30N60B3D) с другим товаром нет

IGBT транзистор IHW20N120R3 (маркировка H20R1203) для индукционных печей, 1200V, 20A, аналог H20R1202

H20R1203 (IHW20N120R3)

IGBT транзистор IHW20N120R3 (маркировка H20R1203) для индукционных печей, 1200V, 20A, аналог H20R1202


75 pyб.    Положить в корзину H20R1203 (IHW20N120R3) В закладки Сравнить H20R1203 (IHW20N120R3) с другим товаром В наличии

Транзисторы IRG7IC28U (маркировка G7IC28U) - Discrete PDP Trench IGBT, 600V, 25A, TO-220FP

IRG7IC28U

Транзисторы IRG7IC28U (маркировка G7IC28U) - Discrete PDP Trench IGBT, 600V, 25A, TO-220FP


48 pyб.    Положить в корзину IRG7IC28U В закладки Сравнить IRG7IC28U с другим товаром В наличии

Транзисторы RJP63F3A - Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching, 630V, 40A, TO-220FP

RJP63F3A to-220fp

Транзисторы RJP63F3A - Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching, 630V, 40A, TO-220FP


43 pyб.    Положить в корзину RJP63F3A to-220fp В закладки Сравнить RJP63F3A to-220fp с другим товаром В наличии

Транзисторы RJP30E2 (полный партномер RJP30E2DPP-M0) - IGBTs for PDP and Power Supply use, 360V 35A, Renesas, TO-220FP

RJP30E2 to-220fp

Транзисторы RJP30E2 (полный партномер RJP30E2DPP-M0) - IGBTs for PDP and Power Supply use, 360V 35A, Renesas, TO-220FP


32 pyб.    Положить в корзину RJP30E2 to-220fp В закладки Сравнить RJP30E2 to-220fp с другим товаром В наличии

Транзистор TGAN25N120ND (25N120ND, аналог FGA25N120ANTD) - NPT trench Power IGBT, N-Channel, 1200V, 50A, TO-3P

TGAN25N120ND (25N120ND)

Транзистор TGAN25N120ND (25N120ND, аналог FGA25N120ANTD) - NPT trench Power IGBT, N-Channel, 1200V, 50A, TO-3P


84 pyб.    Положить в корзину TGAN25N120ND (25N120ND) В закладки Сравнить TGAN25N120ND (25N120ND) с другим товаром В наличии

Транзистор RJH60F5 (полный партномер RJH60F5DPQ-A0) - Power IGBT Transistor, 600V, 40A, TO-247

RJH60F5

Транзистор RJH60F5 (полный партномер RJH60F5DPQ-A0) - Power IGBT Transistor, 600V, 40A, TO-247


143 pyб.    Положить в корзину RJH60F5 В закладки Сравнить RJH60F5 с другим товаром В наличии

Транзисторы FGH40N60UFD (FGH40N60) - Power IGBT Transistor, 600V, 40A, TO-247

FGH40N60UFD

Транзисторы FGH40N60UFD (FGH40N60) - Power IGBT Transistor, 600V, 40A, TO-247


153 pyб.    Положить в корзину FGH40N60UFD В закладки Сравнить FGH40N60UFD с другим товаром нет

IGBT транзистор IHW30N120R3 (маркировка H30R1203) для индукционных печей, 1200V, 30A, аналог H20R1202

H30R1203 (IHW30N120R3)

IGBT транзистор IHW30N120R3 (маркировка H30R1203) для индукционных печей, 1200V, 30A, аналог H20R1202


95 pyб.    Положить в корзину H30R1203 (IHW30N120R3) В закладки Сравнить H30R1203 (IHW30N120R3) с другим товаром В наличии

Транзистор RJP30E2 (полный партномер RJP30E2DPK-M0) - IGBTs for PDP and Power Supply use, 360V 35A, TO-3P

RJP30E2 to-3p

Транзистор RJP30E2 (полный партномер RJP30E2DPK-M0) - IGBTs for PDP and Power Supply use, 360V 35A, TO-3P


65 pyб.    Положить в корзину RJP30E2 to-3p В закладки Сравнить RJP30E2 to-3p с другим товаром В наличии
Всего: 138 , стр.   1   [ 2 ] [ 3 ] [ 4 ] [ 5 ] [ 6 ] [ 7 ] [ 8 ] [ 9 ] След.