Поиск товара:        Расширенный

Популярные поиски: BD9897FS TL866CS AS15-F HAKKO 936 TMS91429CT FDD8447L 2SK4075 2SC5707 AXP209

Вход

Имя:

Пароль:



Регистрация
Забыл пароль

Товаров:   0 шт.
На сумму: 0.00 pyб.
Разделы
IGBT транзисторы

IGBT
транзисторы

 

IGBT транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) это биполярные транзисторы с изолированным затвором. Поэтому входные характеристики IGBT подобны входным характеристикам полевого транзистора, а выходные – выходным характеристикам биполярного.

 

В каталоге нашего магазина указаны складские розничные цены, при этом, оптовые покупатели, имеют возможность купить дешевле (со скидкой).

 

Для покупки оптом (под заказ), присылайте ваши списки нам на емайл. Мы отправим вам коммерческое предложение с оптовой ценой и сроком поставки.

 

При покупке в розницу, добавляйте требуемый товар в корзину, и в завершении, оформляйте заказ с нашего сайта. Мы проверим наличие, рассчитаем стоимость доставки, и свяжемся с вами для выставления счета.

 

Посетителям, ранее не покупавшим в интернет магазинах, предлагаем ознакомиться с информацией - как купить

 

Текущее наличие на складе, указано в каталоге и в карточке товара. Отправка почтой либо транспортной компанией в любой город России.

 

 

Будьте внимательны!

 

При выборе, обращайте внимание на корпус. IGBT транзисторы могут изготавливаться в корпусах различных типов. Поэтому, перед выбором, внимательно смотрите фотографию (картинку) и параметры (характеристики). Для многих транзисторов мы указываем их характеристики, маркировку, размещаем описания и даташиты и схему включения.

 

Популярные IGBT транзисторы

Магазин Dalincom предлагает различные виды IGBT транзисторов - N-каналов и P-каналов, мощные, высоковольтные, и многие другие.

Ценовая таблица наиболее востребованных IGBT транзисторов
Наименование
Корпус
Цена

** более подробную информацию (фото, описание, параметры, технические характеристики, маркировку, и тд.) вы сможете найти в карточке товара


RJP63K2 TO-263 32 руб.
RJP3049 TO-3P 47 руб.
GT30F124 TO-220 32 руб.
GT30F131 TO-263 32 руб.
DG302 TO-263 32 руб.
GT30F133 TO-263 32 руб.
K40T120 TO-247 90 руб.
H25R1203 TO-247 85 руб.
H20R1202 TO-247 65 руб.
FGA15N120 TO-247 53 руб.
RJH30E3 TO-220 53 руб.
RJP3054 TO-220 53 руб.

 

Список товаров для продажи
Режим Отображения Показать каталог как список Показать каталог как таблицу Показать каталог как текст

Транзистор GT45G122 (маркировка 45G122) - Power IGBT, 300V, 200A, TO-220FP, формованные выводы

GT45G122 (45G122)

Транзистор GT45G122 (маркировка 45G122) - Power IGBT, 300V, 200A, TO-220FP, формованные выводы


37 pyб.    Положить в корзину GT45G122 (45G122) В закладки Сравнить GT45G122 (45G122) с другим товаром В наличии

Транзисторы RJP30H1 (полный партномер RJP30H1DPD) - N-Channel IGBT High speed power switching, 360V, 30A, TO-252

RJP30H1 to-252

Транзисторы RJP30H1 (полный партномер RJP30H1DPD) - N-Channel IGBT High speed power switching, 360V, 30A, TO-252


36 pyб.    Положить в корзину RJP30H1 to-252 В закладки Сравнить RJP30H1 to-252 с другим товаром В наличии

Транзистор IRG7S313U (маркировка G7S313U) - N-channel, IGBT High speed power switching, TO-263

IRG7S313U (G7S313U)

Транзистор IRG7S313U (маркировка G7S313U) - N-channel, IGBT High speed power switching, TO-263


32 pyб.    Положить в корзину IRG7S313U (G7S313U) В закладки Сравнить IRG7S313U (G7S313U) с другим товаром В наличии

Транзисторы IRG7SC28U (маркировка G7SC28U, полный партномер IRG7SC28UPbF) - Ultrafast IGBT Transistor, 600V, 60A, TO-263

IRG7SC28U

Транзисторы IRG7SC28U (маркировка G7SC28U, полный партномер IRG7SC28UPbF) - Ultrafast IGBT Transistor, 600V, 60A, TO-263


37 pyб.    Положить в корзину IRG7SC28U В закладки Сравнить IRG7SC28U с другим товаром В наличии

Транзистор RJP30H3A - IGBT High speed power switching, TO-263

RJP30H3A to-263

Транзистор RJP30H3A - IGBT High speed power switching, TO-263


32 pyб.    Положить в корзину RJP30H3A to-263 В закладки Сравнить RJP30H3A to-263 с другим товаром В наличии

Транзистор RJP30H3 - IGBT High speed power switching, TO-263

RJP30H3 to-263

Транзистор RJP30H3 - IGBT High speed power switching, TO-263


32 pyб.    Положить в корзину RJP30H3 to-263 В закладки Сравнить RJP30H3 to-263 с другим товаром В наличии

Транзистор RJP63G4 (RJP63G4DPE) - Silicon N-Channel IGBT High Speed Power Switching, 630V, 40A, TO-263

RJP63G4 to-263

Транзистор RJP63G4 (RJP63G4DPE) - Silicon N-Channel IGBT High Speed Power Switching, 630V, 40A, TO-263


36 pyб.    Положить в корзину RJP63G4 to-263 В закладки Сравнить RJP63G4 to-263 с другим товаром В наличии

Транзистор RJP30E3 (полный партномер RJP30E3DPK-M0) - Power IGBT, 360V, 40A, TO-3P

RJP30E3 to-3p

Транзистор RJP30E3 (полный партномер RJP30E3DPK-M0) - Power IGBT, 360V, 40A, TO-3P


71 pyб.    Положить в корзину RJP30E3 to-3p В закладки Сравнить RJP30E3 to-3p с другим товаром В наличии

Транзистор TGAN25N120ND (25N120ND, аналог FGA25N120ANTD) - NPT trench Power IGBT, N-Channel, 1200V, 50A, TO-3P

TGAN25N120ND (25N120ND)

Транзистор TGAN25N120ND (25N120ND, аналог FGA25N120ANTD) - NPT trench Power IGBT, N-Channel, 1200V, 50A, TO-3P


84 pyб.    Положить в корзину TGAN25N120ND (25N120ND) В закладки Сравнить TGAN25N120ND (25N120ND) с другим товаром нет

Транзистор TGAN40N120FDR (40N120FDR) - Power IGBT Transistor, 1200V, 40A, TO-3PN

TGAN40N120FDR

Транзистор TGAN40N120FDR (40N120FDR) - Power IGBT Transistor, 1200V, 40A, TO-3PN


95 pyб.    Положить в корзину TGAN40N120FDR В закладки Сравнить TGAN40N120FDR с другим товаром В наличии

Транзистор RJP30E2 (полный партномер RJP30E2DPK-M0) - IGBTs for PDP and Power Supply use, 360V 35A, TO-3P

RJP30E2 to-3p

Транзистор RJP30E2 (полный партномер RJP30E2DPK-M0) - IGBTs for PDP and Power Supply use, 360V 35A, TO-3P


75 pyб.    Положить в корзину RJP30E2 to-3p В закладки Сравнить RJP30E2 to-3p с другим товаром В наличии

IGBT транзистор IHW30N120R3 (маркировка H30R1203) для индукционных печей, 1200V, 30A, аналог H20R1202

H30R1203 (IHW30N120R3)

IGBT транзистор IHW30N120R3 (маркировка H30R1203) для индукционных печей, 1200V, 30A, аналог H20R1202


95 pyб.    Положить в корзину H30R1203 (IHW30N120R3) В закладки Сравнить H30R1203 (IHW30N120R3) с другим товаром нет

Транзистор HGTG11N120CND (маркировка 11N120CND) - Power IGBT, N-Channel, with Anti-Parallel Hyperfast Diode, 1200V, 43A, TO-247

HGTG11N120CND (11N120CND)

Транзистор HGTG11N120CND (маркировка 11N120CND) - Power IGBT, N-Channel, with Anti-Parallel Hyperfast Diode, 1200V, 43A, TO-247


100 pyб.    Положить в корзину HGTG11N120CND (11N120CND) В закладки Сравнить HGTG11N120CND (11N120CND) с другим товаром В наличии

Транзистор GT30J322 - Power IGBT, 600V, 30A, TO-3PN

GT30J322

Транзистор GT30J322 - Power IGBT, 600V, 30A, TO-3PN


110 pyб.    Положить в корзину GT30J322 В закладки Сравнить GT30J322 с другим товаром В наличии

Транзистор HGTG30N60B3D (маркировка G30N60B3D) - Power IGBT 60A, 600V, UFS Series N-Channel with Anti-Parallel Hyperfast Diode, TO-247

HGTG30N60B3D (G30N60B3D)

Транзистор HGTG30N60B3D (маркировка G30N60B3D) - Power IGBT 60A, 600V, UFS Series N-Channel with Anti-Parallel Hyperfast Diode, TO-247


143 pyб.    Положить в корзину HGTG30N60B3D (G30N60B3D) В закладки Сравнить HGTG30N60B3D (G30N60B3D) с другим товаром В наличии

Транзисторы GT60N321 - High-Power Switching Applications Fourth Generation IGBT, 1000V, 60A, TO-3P

GT60N321

Транзисторы GT60N321 - High-Power Switching Applications Fourth Generation IGBT, 1000V, 60A, TO-3P


165 pyб.    Положить в корзину GT60N321 В закладки Сравнить GT60N321 с другим товаром В наличии
Всего: 122 , стр. Пред.   [ 1 ]   2   [ 3 ] [ 4 ] [ 5 ] [ 6 ] [ 7 ] [ 8 ] След.